CHARACTERISTICS OF ELECTRON TUNNELING IN METAL-INSULATOR-DEGENERATE SEMICONDUCTOR JUNCTIONS

被引：0
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作者：
CHANG, LL
STILES, PJ
ESAKI, L
机构：
来源：
SOLID STATE COMMUNICATIONS | 1967年 / 5卷 / 10期
关键词：
D O I：
10.1016/0038-1098(67)90731-4
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
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页码：R9 / &
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