HIGH-VOLTAGE ELECTRON-MICROSCOPY OF INTERFACIAL DEFECTS IN GAAS

被引：2
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作者：
OSIECKI, R
THOMAS, G
机构：
来源：
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING | 1972年 / 10卷 / 01期
关键词：
D O I：
10.1016/0025-5416(72)90065-1
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
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页码：53 / &
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