ION-IMPLANTATION CALCULATIONS IN 2 DIMENSIONS USING THE BOLTZMANN TRANSPORT-EQUATION

被引：10
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作者：
GILES, MD
机构：
[1] AT&T Bell Lab, Murray Hill, NJ,, USA, AT&T Bell Lab, Murray Hill, NJ, USA
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTER-AIDED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS | 1986年 / 5卷 / 04期
关键词：
D O I：
10.1109/TCAD.1986.1270237
中图分类号：
TP3 [计算技术、计算机技术];
学科分类号：
0812 ;
摘要：
SEMICONDUCTOR MATERIALS
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页码：679 / 684
页数：6
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