DETERMINATION OF THE RESIDUAL CARBON ACCEPTOR CONCENTRATION IN SEMI-INSULATING GAAS WAFERS BY IR SPECTROSCOPY - ACCURACY AND DETECTION LIMITS

被引：8
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作者：
ALT, HC
机构：
[1] Siemens Research Lab, Munich, West Ger, Siemens Research Lab, Munich, West Ger
来源：
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY | 1988年 / 3卷 / 02期
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/3/2/013
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
18
引用
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页码：154 / 159
页数：6
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