VALENCE-BAND PHOTOEMISSION AND ELECTRON ENERGY-LOSS STUDIES OF REACTIVE ION ETCHED SILICON DIOXIDE

被引:2
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作者
ROBEY, SW
OEHRLEIN, GS
机构
关键词
D O I
10.1116/1.575349
中图分类号
TB3 [工程材料学];
学科分类号
0805 ; 080502 ;
摘要
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页码:1503 / 1507
页数:5
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