RADIATION-INDUCED SPACE-CHARGE BUILDUP IN MOS STRUCTURES

被引：120
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作者：
MITCHELL, JP
机构：
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1967年 / ED14卷 / 11期
关键词：
D O I：
10.1109/T-ED.1967.16104
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页数：1
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