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A MODEL FOR GRIN-SCH-SQW DIODE-LASERS
被引:176
|
作者
:
CHINN, SR
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机构:
GE, Syracuse, NY, USA
CHINN, SR
ZORY, PS
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GE, Syracuse, NY, USA
ZORY, PS
REISINGER, AR
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机构:
GE, Syracuse, NY, USA
REISINGER, AR
机构
:
[1]
GE, Syracuse, NY, USA
来源
:
IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
|
1988年
/ 24卷
/ 11期
关键词
:
D O I
:
10.1109/3.8562
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
66
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页码:2191 / 2214
页数:24
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