KINETICS OF SILICON CRYSTAL GROWTH FROM SICL4 DECOMPOSITION

被引：69

作者：

BYLANDER, EG

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2425266

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1171 / 1175

页数：5

共 10 条

[1]

ALLEN CC, UNPUB 1961 P AIME C

[2]

BARRY AJ, 1938, Z ANORG ALLGEM CHEM, V235, P247

BRENNER, SS .

ACTA METALLURGICA, 1959, 7 (07) :519-520

[4]

KUROV GA, 1962, SOV PHYS-SOL STATE, V3, P1512

[5] SINGLE CRYSTAL SILICON OVERGROWTHS [J].

MARK, A .

[6]

SANGSTER RC, 1957, J ELECTROCHEM SOC, V104, P317

TEAL, GK ;

FISHER, JR ;

TREPTOW, AW .

[8] EPITAXIAL SILICON FILMS BY THE HYDROGEN REDUCTION OF SIC1 [J].

THEUERER, HC .

[9]

VANHOOK A, 1962, CRYSTALLIZATION, P22

[10]

WALKER FL, 1959, ADV CATALYSIS, V2, P171