For the theory of semiconductor junction and peak rectifier .

被引：709
作者：
Schottky, W.
机构：
来源：
ZEITSCHRIFT FUR PHYSIK | 1939年 / 113卷 / 5-6期
关键词：
D O I：
10.1007/BF01340116
中图分类号：
O4 [物理学];
学科分类号：
0702 ;
摘要：
引用
收藏
页码：367 / 414
页数：48
相关论文
共 46 条
[1]  
BRAUN F, 1874, POGG ANN, V153, P556
[2]  
FOWLER RH, 1936, STAT MECH
[3]  
Fritsch O, 1935, ANN PHYS-BERLIN, V22, P375
[4]  
HARTMANN W, 1936, Z TECHN PHYS, V17, P436
[5]  
Henninger FP, 1937, ANN PHYS-BERLIN, V28, P0245
[6]  
Henninger FP, 1938, ANN PHYS-BERLIN, V31, P337
[7]  
HOLM R, 1932, Z PHYS, V74, P727
[8]  
Joffe AV, 1937, CR ACAD SCI URSS, V16, P81
[9]  
Joffe AV, 1937, CR ACAD SCI URSS, V16, P77
[10]   The stopping layer of rectifiers [J].
Juse, W .
NATURE, 1933, 132 :242-242
12345