FORMING OF S-TYPE CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS UNDER THE AVALANCHE BREAKDOWN OF ELECTRON-IRRADIATED P-N-TRANSITION SILICON

被引：0
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作者：
KORSHUNOV, FP
MARCHENKO, IG
LASTOVSKY, SB
机构：
来源：
DOKLADY AKADEMII NAUK BELARUSI | 1990年 / 34卷 / 02期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O [数理科学和化学]; P [天文学、地球科学]; Q [生物科学]; N [自然科学总论];
学科分类号：
07 ; 0710 ; 09 ;
摘要：
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页数：3
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共 50 条
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