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INP FIELD-EFFECT TRANSISTOR FOR MICROWAVE-POWER AMPLIFICATION
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作者
:
ARMAND, M
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ARMAND, M
BUI, DV
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BUI, DV
CHEVRIER, J
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CHEVRIER, J
LINH, NT
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LINH, NT
机构
:
来源
:
REVUE TECHNIQUE THOMSON-CSF
|
1984年
/ 16卷
/ 01期
关键词
:
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
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共 50 条
[1]
MICROWAVE-POWER AMPLIFICATION WITH INP FETS
ARMAND, M
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ARMAND, M
CHEVRIER, J
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CHEVRIER, J
LINH, NT
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LINH, NT
ELECTRONICS LETTERS,
1980,
16
(24)
: 906
-
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[2]
IMPEDANCE FIELD AND MICROWAVE-POWER GENERATION IN INP DIODES
GRUZINSKIS, V
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Semiconductor Physics Institute, Vilnius, 2600
GRUZINSKIS, V
STARIKOV, E
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Semiconductor Physics Institute, Vilnius, 2600
STARIKOV, E
SHIKTOROV, P
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Semiconductor Physics Institute, Vilnius, 2600
SHIKTOROV, P
PHYSICA SCRIPTA,
1994,
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: 71
-
76
[3]
SCHOTTKY DIODE AND FIELD-EFFECT TRANSISTOR ON INP
LOUALICHE, S
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LOUALICHE, S
GINOUDI, A
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GINOUDI, A
LHARIDON, H
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LHARIDON, H
SALVI, M
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SALVI, M
LECORRE, A
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LECROSNIER, D
FAVENNEC, PN
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FAVENNEC, PN
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[4]
NEW VERTICAL GEOMETRY MOS-TRANSISTOR FOR LINEAR MICROWAVE-POWER AMPLIFICATION
HENG, TMS
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WESTINGHOUSE RES LABS,PITTSBURGH,PA 15235
WESTINGHOUSE RES LABS,PITTSBURGH,PA 15235
HENG, TMS
NATHANSO.HC
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WESTINGHOUSE RES LABS,PITTSBURGH,PA 15235
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NATHANSO.HC
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(11)
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[5]
A MICROWAVE GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTOR
HOOPER, WW
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HOWER, PL
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HOWER, PL
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,
1968,
ED15
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&
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SCHOTTKY AND FIELD-EFFECT TRANSISTOR FABRICATION ON INP AND GAINAS
LOUALICHE, S
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SALVI, M
FAVENNEC, PN
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FAVENNEC, PN
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NOVEL ORGANIC-ON-INP FIELD-EFFECT TRANSISTOR
CHENG, CL
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CHENG, CL
FORREST, SR
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KAPLAN, ML
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SCHMIDT, PH
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TELL, B
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TELL, B
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1985,
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SALAMA, CAT
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RABIER, A
ACTA ELECTRONICA,
1980,
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PROCEEDINGS OF THE IEEE,
1980,
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