INJECTION-STIMULATED VACANCY REORDERING IN P-TYPE SILICON AT 76DEGREESK

被引：44

作者：

GREGORY, BL

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1713944

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：3765 / &

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