DETERMINATION OF THE ENTROPY-FACTOR OF THE GOLD DONOR LEVEL IN SILICON BY RESISTIVITY AND DLTS MEASUREMENTS

被引：16
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作者：
KASSING, R
COHAUSZ, L
VANSTAA, P
MACKERT, W
HOFFMAN, HJ
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING | 1984年 / 34卷 / 01期
关键词：
D O I：
10.1007/BF00617573
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
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