硅基外延SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器的结构和性能研究

被引：0

作者：

朱慧娟

刘保亭

代秀红

郭建新

周阳

机构：

[1] 河北大学物理科学与技术学院

来源：

人工晶体学报 | 2013年 / 42卷 / 03期

关键词：

硅衬底; 外延生长; SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3异质结;

D O I：

10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2013.03.005

中图分类号：

TM53 [电容器];

学科分类号：

摘要：

传统的方法很难直接在硅衬底上制备外延的氧化物铁电电容器,本实验采用生长在硅衬底上的外延SrTiO3为模板,直接生长了SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器异质结,并对其结构及性能进行了研究。X射线衍射表明所制备的SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3异质结实现了在硅衬底上的外延生长。在5 V测试电压下,铁电电容器的剩余极化强度和矫顽电压分别为19.6μC/cm2和0.8 V。当极化翻转次数达到1010时,铁电电容器的极化强度没有明显的衰减,表明SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器具有良好的抗疲劳性能。

引用

页码：428 / 431+451 +451

页数：5