用磁环抑制GIS的VFTO的高电压模拟试验

被引：18

作者：

项祖涛

刘卫东

钱家骊

张雅林

申豫章

王淑平

机构：

[1] 清华大学电机系

[2] 西安高压开关

[3] 西安高压开关北京

[4] 厂西安

来源：

关键词：

全封闭组合电器(GIS); 特快速暂态过电压(VFTO);

D O I：

10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.2004.07.001

中图分类号：

TM595 [全封闭组合电器];

学科分类号：

080801 ;

摘要：

研究了用磁环抑制全封闭组合电器(GIS)的特快速暂态过电压(VFTO)。通过高电压模拟试验,观测了铁氧体、非晶磁芯和金属磁粉芯三种材料的磁环,特别观测了磁饱和的影响。试验结果表明,在适当的参数配合下,磁环能够有效抑制特快速暂态过电压的幅值和陡度。

引用

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