ZrO2（Y－TZP）－Si3N4复合材料中抑制ZrN生成研究

被引：2

作者：

饶平根，杨以文，严松浩，陈楷，樊海芳

机构：

[1] 广州华南理工大学材料所

来源：

无机材料学报 | 1996年 / 02期

基金：

广东省自然科学基金;

关键词：

氮化硅，氧化锆，抑制，氮化锆生成，氧化;

D O I：

暂无

中图分类号：

TQ174.1 [基础理论];

学科分类号：

摘要：

研究了气氛加压烧成ＺｒＯ２（Ｙ－ＴＺＰ）－Ｓｉ３Ｎ４复合材料中抑制ＺｒＮ生成工艺问题，相组成分析表明：无论添加２０ｗｔ％工业ＺｒＯ２或者Ｙ－ＴＺＰ（３ｍｏｌ％Ｙ。Ｏ。）的氯化硅复合材料，在低于１８５０℃，３ＭＰａｋ气压力下烧成，表面无ＺｒＮ生成．通过加入有效的烧结助剂（Ｙ。Ｏａ＋ＡＩ。Ｏｓ）、增加埋粉中ＳＩＯ分压以及增加保护气氛氮气压力，适当的烧成条件等工艺措施可有效地抑制ＺｒＮ的生成．实验还证实了ＺｒＮ很容易氧化，含有ＺｒＮ的ＺｒＯ。（Ｙ－ＴＺＰ）－ＳｉｓＮ。复合材料试样经９００℃，０．ｓｈ热处理已粉碎性裂开．

引用

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