LP—MOCVD研制InGaAs／InP应变量子阱LD

被引：1

作者：

刘宝林，杨树人，陈伯军，王本忠，安海岩，秦福文，刘式墉

机构：

[1] 厦门大学物理系，吉林大学电子工程系

来源：

光子学报 | 1996年 / 05期

关键词：

LP—MOCVD；应变；量子阱；激光器;

D O I：

暂无

中图分类号：

O471 [半导体理论];

学科分类号：

摘要：

本文指出在ＬＰ—ＭＯＣＶＤ生长过程中，采用量子阱有源区和上限制层不同的生长温度以及生长非掺杂过渡层等技术能有效地控制ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱激光器的ｐ—ｎ结结位，给出了采用ＤＥＺｎ和Ｈ＿２Ｓ做掺杂源在ＩｎＰ材料中ｐ型和ｎ型杂质溶度和ｐ－ｎ结控制的条件，并研制出有源区阱层ＩｎＧａＡｓ与ＩｎＰ存在０．５％压缩应变量子阱激光器，这一结构ＬＤ实现室温脉冲激射，得到峰值功率为１０６ｍＷ以上，阈值电流密度为２．６ｋＡ／ｃｍ２。

引用

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