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Si基多孔SiO2薄膜的驻极体性能
被引：5
作者：
张晓青
Wedel A
Buechtemann A
夏钟福
张冶文
机构：
[1] 同济大学波耳固体物理研究所!上海,FraunhoferInstituteofAppliedPolymerResearch!Geiselbergstrasse,D-Golm,Germany,FraunhoferInstituteofAppliedPolymerResearch!Geiselbergstrasse,D-Golm,Germany,同济大学波耳固体物理研究所!
来源：
关键词：
多孔;
SiO2;
薄膜;
驻极体;
性能;
D O I：
暂无
中图分类号：
TB383 [特种结构材料];
学科分类号：
070205 ;
080501 ;
1406 ;
摘要：
通过控制制备工艺条件和充电参数，利用相应条件下样品的等温表面电位衰减，开路热刺激放电电流谱等，考察了利用溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）方法制备的Ｓｉ基多孔ＳｉＯ２薄膜的驻极体性能，分析了各种工艺参数与薄膜驻极体性质之间的联系，同时利用Ｇａｕｓｓ拟合及初始上升法对薄膜驻极体的电有陷阱深度进行了估算．实验结果表明，反应物中水的含量对薄膜驻极体的陷阱分布具有调节作用；估算出负电晕充电ＳｉＯ２薄膜驻极体电荷的活化能为０．３ｅＶ和１．０ｅＶ；环境湿度对电荷储存稳定性有一定的影响，降低栅压可以提高ＳｉＯ２薄膜驻极体的电荷储存稳定性．
引用
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