共 21 条
- [4] GaN结构相变、电子结构和光学性质[J]. 李建华,崔元顺,陈贵宾.光子学报. 2013(02)
LaPO4和ScPO4电子结构和光学性质的第一性原理研究
被引：0
|作者：
张苗
[1
,2
]
熊明姚
[1
,2
]
文杜林
[1
,2
]
苏欣
[1
,2
]
机构：
[1] 伊犁师范大学物理科学与技术学院
[2] 伊犁师范大学新疆凝聚态相变与微结构实验室
来源：
关键词：
LaPO4晶体;
ScPO4晶体;
电子结构;
光学性质;
第一性原理;
D O I：
10.19855/j.1000-0364.2022.056001
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法，对LaPO4和ScPO4的能带结构、电子态密度及光学性质进行计算和分析.计算结果表明：LaPO4的禁带宽度为5.646 eV,ScPO4的禁带宽度为4.531 eV. LaPO4晶体价带顶主要由P-3s、P-3p及O-2p态贡献，导带底主要是由La-5d态贡献；ScPO4晶体价带顶主要由P-3s、P-3p及O-2p态贡献，导带顶主要是由Sc-3d态贡献.就光学性质而言，ScPO4的静介电常数是2.03,比LaPO4（1.92）的静介电常数大，体系极化能力较好.
引用
收藏
页码：137 / 141
页数：5
相关论文