Ga1-xInxAsySb1-y/GaSbLPE生长及其性质研究

被引：0

作者：

莫敏

叶建新

罗晋生

徐建良

机构：

[1] 西安交通大学电子工程系

来源：

固体电子学研究与进展 | 1992年 / 03期

关键词：

液相外延; GaInAsSb/GaSb; Auger能谱仪;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

报导了在n型（100）GaSb衬底上,温度为520—530℃时,用液相外延的方法实现了组分在0≤x≤0.19,0≤y≤0.14范围内的Ga1-xInxAsySb1-y四元合金半导体的生长。X射线双晶衍射,电子探针及光学显微镜的观察和分析测试表明:所得外延层的表面形貌和界面特性优良,组分分布和层厚均匀,晶格匹配及单晶性能良好。对外延层表面的氧化情况使用Auger能谱仪进行测试分析。另外,对生长中存在的一些问题进行了讨论。

引用

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