白光LED用荧光材料BaGd(BO)∶Eu的发光性能研究

被引:17
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作者
周立亚 [1 ]
黄君丽 [1 ]
易灵红 [1 ]
龚孟濂 [2 ]
石建新 [2 ]
机构
[1] 广西大学化学化工学院
[2] 中山大学化学与化学工程学院
关键词
Ba3Gd(BO3)3; 荧光粉; 发光; 稀土;
D O I
暂无
中图分类号
O482.31 [发光学];
学科分类号
摘要
用高温固相反应法制备了稀土离子Eu3+掺杂的三元稀土硼酸盐Ba3Gd(BO3)3发光材料,通过X射线衍射(XRD)、荧光光谱和扫描电镜(SEM)等测试手段对Ba3Gd(BO3)3∶Eu3+荧光粉的制备条件、发光性能以及形貌进行了研究。XRD结果表明,在1000℃时可得到Ba3Gd(BO3)3纯相。扫描电镜照片显示颗粒基本为球形,粒径约为200~400 nm。发光光谱测试表明,Ba3Gd(BO3)3∶Eu3+荧光粉在近紫外区(UV)(396 nm)和蓝光区(466 nm)可以被有效地激发,分别用255和396 nm的紫外光激发样品时,以Eu3+的5D0-7F2(611和616 nm)超灵敏跃迁为主要发射峰。当Eu3+的掺杂浓度为10%(摩尔分数)时,Ba3Gd(BO3)3∶Eu3+在611和616 nm处的发光强度最大。因此,这种荧光粉是一种可能应用在白光LED上的红色荧光材料。
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共 2 条
  • [1] Synthesis and luminescent properties of BaGd 2 O 4 : Eu 3 + phosphor[J] . Liya Zhou,Jianxin Shi,Menglian Gong.Journal of Physics and Chemistry of Solids . 2007 (8)
  • [2] Luminescence of (Li 0.333 Na 0.334 K 0.333 )Eu(MoO 4 ) 2 and its application in near UV InGaN-based light-emitting diode[J] . Zhengliang Wang,Hongbin Liang,Liya Zhou,Hao Wu,Menglian Gong,Qiang Su.Chemical Physics Letters . 2005 (4)