不同双栅极设计对a-Si:H TFT特性影响

被引：0

作者：

林致远

马骏

林亮

杨成绍

邹志翔

黄寅虎

文锺源

王章涛

机构：

[1] 合肥鑫晟光电科技有限公司

来源：

液晶与显示 | 2016年 / 31卷 / 05期

关键词：

高开口率高级超维场转换技术; 非晶硅; 薄膜电晶体; 双栅极;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN321.5 [];

学科分类号：

摘要：

本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下,通过增加不同的顶栅极设计方式(不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例)来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响。实验结果显示双栅极a-Si TFT比现行单底栅a-Si TFT可以提升Ion7%、降低SS 3%、同时对Ioff以及TFT稳定性影响不明显,显示双栅极a-Si TFT设计结构具有在不提高成本以及不变更工艺流程下,达到整体提升TFT特性的效果。顶栅极TFT特性不如底栅极,推测为a-Si/PVX界面不佳使得电子导通困难导致,未来可以借由改善a-Si/PVX界面工艺提升顶栅极TFT特性。

引用

页码：460 / 463

页数：4