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N、Zn离子注入GaAs1-xPx(x=0.39)的研究补充
被引：0
|作者：
机构：
[1] 中国科学院半导体所
[2] 北京师范大学低能所、物理系
[3] 北京有色所
来源：
关键词：
GaAs;
x=0.39;
离子注入;
离子掺杂;
发光强度;
光强;
x;
x)P_x;
Zn;
D O I：
暂无
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学科分类号：
摘要：
关于N、Zn离子注入GaAs1-xPx的阴极萤光及电特性的测量在正文中已经做了介绍。在这里我们再小结一下器件制造结果。 对于N注入GaAs1-xPx中的电致发光情况,我们做的工作不多。在这里只就最近所做二批器件的情况做一个小结。
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