单5伏64K动态RAM

被引：0

作者：

Lionel S.White

陈忠正

机构：

[1] 得克萨斯公司

来源：

微电子学 | 1983年 / 03期

关键词：

地址线; TTL; 器件; 存贮单元; 读出放大器; 联锁; 电平信号; RAM;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

<正> 本文介绍用于大型机和小型计算机的65,635字×1位动态RAM。该器件（16条引线）以5伏单电源工作,与TTL相容,并能承受从-1伏到+7伏的直流输入电平（在交流瞬态可超过此范围）。Vss电源和衬底偏压都用系统的地。同期时间250ns时,64KRAM取数时间为100-150ns,功耗（极坏情况）<200mW。

引用

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