50-170 keV质子照射对GaAs/Ge太阳能电池光谱响应的影响

被引：2

作者：

赵慧杰 ^{[1
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何世禹 ^{[1
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肖志彬 ^{[2
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孙彦铮 ^{[2
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肖景东 ^{[1
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张益君 ^{[1
]}

机构：

[1] 哈尔滨工业大学

[2] 中国电子科技集团公司第十八研究所

来源：

核技术 | 2008年 / 01期

关键词：

GaAs/Ge太阳电池; 质子辐射; 光谱响应;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM914.4 [太阳能电池];

学科分类号：

摘要：

用固定能量（100 keV）不同注量(1×1011-3×1012cm-2)或固定注量(3×1012cm-2)不同能量（50-170 keV）的质子,照射GaAs/Ge太阳电池,获得材料的光谱响应特性随质子能量和注量的变化关系。结果表明,质子辐照对材料的光学性能有破坏性的影响。这种破坏性源于质子辐照引入的大量缺陷,使品格空间的完整性受到破坏,导致少子的扩散长度降低、表面复合速度增加。在质子能量相同的条件下,电池光学性能衰降随照射注量增大;在注量相同的条件下,辐射能量越高,太阳电池光学性能衰降越大。

引用

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