76.2mm Si基AlGaN/GaN HEMT

被引：0

作者：

倪金玉

孔岑

周建军

李忠辉

陈堂胜

机构：

[1] 南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

来源：

关键词：

AlGaN/GaN HEMT; 器件; HEMT; 半高宽度; Si;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

摘要：

<正>南京电子器件研究所采用含有双AlGaN过渡层的材料结构在76.2 mm(3英寸)Si衬底上外延生长了厚度超过2μm的AlGaN/GaN HEMT材料(图1),材料表面光滑、无裂纹。通过外延材料结构和生长条

引用

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