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X-FAB开发出0.35微米CMOS技术
被引:0
|
作者
:
机构
:
来源
:
电子科技文摘
|
2002年
/ 11期
关键词
:
CMOS;
X-FAB;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN43 [半导体集成电路(固体电路)];
学科分类号
:
080903 ;
1401 ;
摘要
:
德国的 X-FAB 半导体公司最近推出新型处理技术,一种0.35微米混音信号 CMOS SOC 处理技术。该技术已通过量产检验,现已供应用户市场。该技术命名为 XC035LV,具有低电压和非易失存储性能,基于多晶硅 n-well CMOS 处理,包括三个金属层。其性能特色则包括第四金属层、高阻抗聚晶硅电阻、肖特基二极管和嵌入式 EEPROM
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页码:188 / 188
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