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环形振荡器对称负载特性分析
被引：6
作者：
桑红石
方海涛
余萌
王文
谢连波
机构：
[1] 华中科技大学图像识别与人工智能研究所多谱信息处理技术国家级重点实验室
来源：
关键词：
CMOS;
对称负载;
自偏置技术;
压控振荡器;
D O I：
10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2011.05.044
中图分类号：
TN752 [振荡器];
学科分类号：
080904 ;
摘要：
对称负载一经提出后,由于其对称性好、高线性度、易于实现等优点而在电荷泵锁相环压控振荡器的设计中广泛采用.文中就对称负载的I-V特性在一级近似模型下进行理论分析,并采用SMIC 0.18μm CMOS工艺库进行仿真,在一阶模型近似下的仿真结果与理论推导完全一致.此外,从影响压控振荡器性能的角度,对于对称性负载设计参数的选取给出了指导性意见.
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页数：4
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