Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜的室温光致发光

被引：2
|
作者：
陈青云
徐明
段满益
陈卫东
丁迎春
纪红萱
沈益斌
机构：
[1] 四川师范大学物理与电子工程学院与固体物理研究所
来源：
半导体光电 | 2007年 / 05期
关键词：
Si/SiO2多层膜; SiNx/SiO2多层膜; 红外吸收; 光致发光;
D O I：
10.16818/j.issn1001-5868.2007.05.020
中图分类号：
O484 [薄膜物理学];
学科分类号：
080501 ; 1406 ;
摘要：
采用射频磁控溅射法,制备了纳米Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜,得到强的可见光致发光,利用傅里叶红外吸收(FTIR)谱和光致发光(PL)谱,对其发光特性进行了研究,在374 nm和712 nm左右观察到强发光峰。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了其可能的发光机制,认为发光可能源自于SiOx界面处的缺陷发光中心。建立了发光的能隙态(EGS)模型,认为440 nm和485 nm的发光源于N-Si-O和Si-O-Si缺陷态能级。
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页码：680 / 684
页数：5
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