新型SiC功率器件在Boost电路中的应用分析

被引：5

作者：

王旸文 ^{[1
]}

赵彪 ^{[2
]}

严干贵 ^{[1
]}

宋强 ^{[2
]}

机构：

[1] 东北电力大学

[2] 清华大学

来源：

电力电子技术 | 2013年 / 47卷 / 11期

关键词：

功率器件; 升压斩波电路; 栅极电阻;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

分析新型SiC功率器件在实际应用中的基本特性,以升压斩波电路为载体,通过理论分析对SiC MOSFET栅极电阻对开关特性的影响,以及开关频率与传输效率的关系进行了阐述。同时,以SiC MOSFET功率器件为核心搭建了实验样机,依据实测数据对理论分析进行验证,并与同类型Si器件相互比较,得出了关于SiC功率器件在系统电路设计方面的优点和一些值得注意的问题。

引用

页码：106 / 108

页数：3

共 6 条

[1]

基于碳化硅器件的智能功率变换系统的研究.[D].李梓.北京交通大学.2012, 10

[2]

电力电子学.[M].刘志刚主编;.北京交通大学出版社.2004,

[3] 无主从自均流并联并网电池储能系统 [J].