应变Si/（101）SixGe1-x空穴迁移率

被引：1
|
作者：
赵丽霞
张鹤鸣
戴显英
宣荣喜
机构：
[1] 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
来源：
西安电子科技大学学报 | 2013年 / 40卷 / 03期
关键词：
应变Si; 各向异性; 迁移率;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN432 [场效应型];
学科分类号：
摘要：
采用kp微扰理论,基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论,对(101)晶面双轴应变Si材料应力致迁移率增强机理进行了系统深入的研究.结果表明:双轴应变Si(101)材料高对称晶向空穴迁移率在应力作用下均有明显增强,其空穴统观迁移率与未应变Si材料相比,最多提高约2倍.文中所得量化模型可为应变Si材料物理的深入理解及应变材料、器件的研究与设计提供有价值的参考.
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