Au原子在H-Si(001)表面扩散的研究

被引：0

作者：

琚伟伟

巩晓阳

刘香茹

王辉

机构：

[1] 河南科技大学理学院

[2] 河南科技大学理学院河南洛阳471003

来源：

关键词：

第一原理; Au; H-Si(001); 吸附; 扩散;

D O I：

暂无

中图分类号：

O471 [半导体理论];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 0809 ; 080903 ;

摘要：

本文用第一原理总能理论研究了金属Au在H-Si(001)表面的吸附与扩散。计算表明,Au原子的吸附不能打破Si二聚体键,其稳定吸附位置处于一个Si二聚体的中部;同时还给出了Au原子处于其它位置时的能量以及相对于Si(001)表面的高度,分析了Au原子在H-Si(001)表面的可能扩散路径。

引用

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