应变Si/（001）Si1-xGex能带结构模型

被引：5
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作者：
宋建军
张鹤鸣
戴显英
胡辉勇
宣荣喜
机构：
[1] 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
来源：
固体电子学研究与进展 | 2009年 / 29卷 / 01期
关键词：
应变硅; K.P法; 能带结构;
D O I：
暂无
中图分类号：
O471.5 [半导体能带结构];
学科分类号：
摘要：
应变Si材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型。结果表明:[001]、[001]方向能谷构成了张应变Si导带带边,其能量值随Ge组分的增加而变小;导带劈裂能与Ge组分成线性关系;价带三个带边能级都随Ge组分的增加而增加,而且Ge组分越高价带带边劈裂能值越大;禁带宽度随着Ge组分的增加而变小。该模型可获得量化的数据,对器件研究设计可提供有价值的参考。
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