低相位噪声CMOS环形压控振荡器的研究与设计

被引：7

作者：

陈永洁 ^{[1
,2
]}

刘忠 ^{[1
]}

危长明 ^{[2
]}

王守军 ^{[2
]}

机构：

[1] 湖南师范大学机电技术设备研究所

[2] 艾迪悌科技(上海)有限公司

来源：

微电子学 | 2008年 / 38卷 / 06期

关键词：

压控振荡器; 环形压控振荡器; 相位噪声;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN752 [振荡器];

学科分类号：

080904 ;

摘要：

针对个人电脑和通讯系统对频率合成器中振荡器的低相位噪声的要求,对基本的环形振荡器结构进行改进,设计了两种宽带低相位噪声CMOS环形压控振荡器(VCO),在800 MHz振荡频率、1 MHz频偏下,测试的相位噪声分别为-123 dBc/Hz和-110 dBc/Hz。两个VCO的调谐范围分别为450～1 017 MHz和559～935 MHz。

引用

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