64K位动态MOSRAM

被引：0

作者：

名取研二

国君

机构：

[1] 《日本东京艺浦电气总研究所》

来源：

关键词：

地址; 要术; 白勺; MOSRAM; 电荷; 勺勺; 功耗;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

<正> 近年来,半导体存贮器、特别是被称作动态随机存取存贮器(RAM)的技术发展速度是非常惊人的。1K 位的MOS 动态 RAM——1103在1970年问世,以后从4K位到16K 位几乎每2年出现一代,这样一来,不仅达到了高于原来4倍的高集成化,同时亦扩大了功能。从用户方面看

引用

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