基区重掺杂对InGaAs/InAlAs突变HBT电流输运的影响

被引：0

作者：

吴利锋

唐吉玉

文于华

汤莉莉

刘超

机构：

[1] 华南师范大学物理与电信工程学院

来源：

华南师范大学学报(自然科学版) | 2009年 / 01期

关键词：

重掺杂; 禁带变窄; Jain-Roulston模型;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

摘要：

基区重掺杂产生禁带变窄效应(BGN),从而导致HBT突变异质结界面的势垒高度发生改变,这会严重影响载流子的电流输运.该文基于Jain-Roulston禁带收缩模型及电流输运机理,对电子的传输进行了深入的分析,并与实验数据进行了比较,结果表明:在基区重掺杂的条件下,考虑BGN对电流输运的影响,对于准确描述电流的输运现象是非常有必要的.

引用

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