IGBT的发展现状及应用

被引:11
作者
李恩玲,周如培
机构
[1] 西安理工大学
关键词
绝缘栅双极型晶体管(IGBT),功率器件;
D O I
暂无
中图分类号
TN322.8 [];
学科分类号
0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;
摘要
介绍了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的基本结构,工作原理及其在国内外的发展现状,并阐述了IGBT的独特性能及其在电力电子领域的应用。
引用
收藏
页码:48 / 51
页数:4
相关论文
共 6 条
[1]   高压IGBT制造技术的最新动向 [J].
张昌利 ;
陈治明 .
半导体情报, 1997, (05) :47-51
[2]   新型功率器件IGBT研制 [J].
袁寿财 .
半导体杂志, 1996, (02) :5-10
[3]   电力电子器件的新发展 [J].
李志晨 .
微电子学, 1991, (02) :12-23
[4]   新型电力电子器件的发展和应用 [J].
钱小工 .
半导体技术, 1990, (05) :4-9
[5]  
现代功率电子技术[M]. 国防工业出版社 , 苏开才, 1995
[6]  
功率MOSFET与高压集成电路[M]. 东南大学出版社 , 陈星弼, 1990