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IGBT的发展现状及应用
被引:11
作者
:
李恩玲,周如培
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安理工大学
李恩玲,周如培
机构
:
[1]
西安理工大学
来源
:
半导体杂志
|
1998年
/ 03期
关键词
:
绝缘栅双极型晶体管(IGBT),功率器件;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN322.8 [];
学科分类号
:
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要
:
介绍了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的基本结构,工作原理及其在国内外的发展现状,并阐述了IGBT的独特性能及其在电力电子领域的应用。
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页码:48 / 51
页数:4
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