Ce3+:YAG晶体位错的研究

被引：3
|
作者：
王召兵
张庆礼
殷绍唐
孙敦陆
苏静
张霞
邵淑芳
机构：
[1] 中国科学院安徽光学精密机械研究所
来源：
人工晶体学报 | 2005年 / 05期
关键词：
Ce3+:YAG晶体; 提拉法; 缺陷; 位错; 无机闪烁晶体;
D O I：
10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2005.05.020
中图分类号：
O772 [];
学科分类号：
摘要：
本文报导了用中频感应加热提拉法生长Ce3+:YAG晶体,直径达45mm。对样品采用不同的化学试剂进行了时间不等的腐蚀,用偏光显微镜观察到不同形貌的位错蚀坑,分析了位错与晶体结构及生长工艺参数等因素之间的关系。
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页码：102 / 105
页数：4
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