电压源换流器高压直流输电装置中IGBT的过电流失效机制

被引：17
作者：
罗湘
汤广福
温家良
贺之渊
庞辉
郑健超
机构：
[1] 中国电力科学研究院
来源：
中国电机工程学报 | 2009年 / 29卷 / 33期
关键词：
电压源换流器高压直流输电装置; 绝缘栅双极型晶体管阀; 过电流; 失效机制;
D O I：
10.13334/j.0258-8013.pcsee.2009.33.018
中图分类号：
TM46 [变流器]; TN386 [场效应器件];
学科分类号：
080801 ; 0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;
摘要：
为满足电压源换流器高压直流输电(voltage source converter high voltage direct current,VSC-HVDC)装置可靠性及其试验方法和试验等效机制研究的需要,重点研究了该装置中绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)阀在过电流故障状态下的失效机制。介绍了VSC-HVDC系统及其阀的结构,将IGBT阀过电流故障分为3种不同的类型,分析IGBT阀在不同过电流故障状态下的电压和电流应力及其在故障应力下的内部物理过程。最终得到了IGBT阀在3种过电流故障下的失效机制。
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