AlGaN/InGaN/GaN双异质结构中2DEG的数值模拟

被引：1

作者：

刘芳

王涛

姚建铨

机构：

[1] 国家重点实验室天津大学激光与光电子研究所,天津大学精密仪器与光电子工程学院

来源：

科学技术与工程 | 2006年 / 23期

关键词：

二维电子气; 导带差; 极化; 自洽求解;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

摘要：

由于InGaN的物理性质,在传统AlGaN/GaN单异质结中嵌入一定厚度的InGaN层,会使二维电子气的密度提高为原来的近两倍。正是从导带差、极化效应两个方面分析了这种现象的原因,并且通过自洽求解泊松方程和薛定谔方程分别作出了AlGaN/InGaN/GaN双异质结和AlGaN/GaN单异质结的能级图以及2DEG的电子能量图,进一步解释了该现象。

引用

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