Photoelectric characteristic of single-phase InxGa1-xN films with tunable bandgap through RF magnetron sputtering (vol 59, pg 21828, 2024)

被引：0

作者：

Li, Ziyuan ^{[1
]}

Shen, Longhai ^{[1
]}

Zhou, Ouxiang ^{[1
]}

Zhu, Xiaotian ^{[2
]}

Zhang, Yu ^{[1
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Wang, Quhui ^{[1
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Qi, Dongli ^{[1
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Zhang, Xinglai ^{[1
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Han, Mengyao ^{[1
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Xu, Junhao ^{[1
]}

Chen, Ye ^{[1
]}

Li, Yuhao ^{[1
]}

机构：

[1] Shenyang Ligong Univ, Sch Sci, Shenyang 110159, Peoples R China

[2] Chinese Acad Sci, Inst Met Res, Shenyang Natl Lab Mat Sci, 72 Wenhua Rd, Shenyang 110016, Peoples R China

来源：

关键词：

D O I：

10.1007/s10853-024-10575-x

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：2165 / 2167

页数：3

共 2 条