SURFACE SUPERLATTICE FORMATION IN SILICON INVERSION LAYERS USING 0. 2- mu M PERIOD GRATING-GATE ELECTRODES.

被引：0

作者：

Warren, A.C. ^{[1
]}

Antoniadis, D.A. ^{[1
]}

Smith, H.I. ^{[1
]}

Melngailis, J. ^{[1
]}

机构：

[1] MIT, Dep of Physics, Cambridge, MA,, USA, MIT, Dep of Physics, Cambridge, MA, USA

来源：

Electron device letters | 1985年 / EDL-6卷 / 06期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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