THRESHOLD-VOLTAGE INSTABILITY OF MOS TRANSISTORS IN AN LSI MEMORY UNDER ACCELERATED OPERATING TEST CONDITION AT 77 K.

被引：0

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作者：

Watanabe, Yoshio

Kaizu, Katsumi

Fukuda, Yukio

机构：

来源：

| 1600年 / E66期

关键词：

Compendex;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

DATA STORAGE, SEMICONDUCTOR

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共 2 条

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