Synchrotron radiation lithography applied to fabrication of deep-submicrometer NMOS devices at all exposure levels

被引：4
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作者：
机构：
[1] Yoshikawa, A.
[2] Horiuchi, T.
[3] Deguchi, K.
[4] Miyake, M.
[5] Yamamoto, E.
[6] Sakakibara, Y.
[7] Kitayama, T.
来源：
Yoshikawa, A. | 1600年 / 11期
关键词：
Deep-Submicrometer Devices - Linewidth Control - NMOS Devices - Synchrotron Radiation Lithography - ULSI;
D O I：
10.1016/0167-9317(90)90104-2
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