ANOMALOUS MAGNETORESISTANCE IN THE FIELD PARALLEL TO THE INTERFACE IN Si-MOS INVERSION LAYERS.

被引:0
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作者
Gakushuin Univ, Tokyo, Jpn, Gakushuin Univ, Tokyo, Jpn [1 ]
机构
来源
J Phys Soc Jpn | 1985年 / 12卷 / 4712-4716期
关键词
INVERSION LAYERS - MAGNETORESISTANCE;
D O I
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