THERMAL POST-TREATMENT CHARACTERISTICS OF METASTABLE CARRIER CONCENTRATION IN As-IMPLANTED SILICON AFTER TRANSIENT ANNEALING.

被引：0

作者：

Xu Li ^{[1
]}

Tsien Peihsin ^{[1
]}

Hou Dongyan ^{[1
]}

Lin Huiwang ^{[1
]}

Li Zhijian ^{[1
]}

Wang Yusheng ^{[1
]}

Yan Jianhua ^{[1
]}

Zheng Shengnan ^{[1
]}

机构：

[1] Qinghua Univ, Inst of, Microelectronics, Beijing, China, Qinghua Univ, Inst of Microelectronics, Beijing, China

来源：

Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors | 1985年 / 6卷 / 01期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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