High-temperature passive oxidation of chemically vapor deposited silicon carbide

被引:0
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作者
机构
[1] [1,Narushima, Takayuki
[2] Goto, Takashi
[3] 1,Hirai, Toshio
来源
Narushima, T. | 1600年 / Pharmacotherapy Publications Inc.卷 / 72期
关键词
Chemical vapor deposition;
D O I
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