混合极性GaN基HEMT中2DEG性能分析

被引：1
|
作者：
王现彬 [1 ]
张晶 [1 ]
杨洁 [1 ]
赵正平 [2 ]
机构：
[1] 石家庄学院物理与电气信息工程学院
[2] 河北工业大学信息工程学院
来源：
真空科学与技术学报 | 2017年 / 37 卷 / 04期
关键词：
混合极性; 氮化镓; 二维电子气; 高电子迁移率晶体管;
D O I：
10.13922/j.cnki.cjovst.2017.04.09
中图分类号：
TN386 [场效应器件];
学科分类号：
摘要：
综合镓极性(Ga-polar)和氮极性(N-polar)GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)上的欧姆接触特性,提出了一种混合极性的GaN基HEMT结构。通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,分析了该混合极性GaN基HEMT结构中的二维电子气(2DEG)行为特性,从而为该混合极性HEMT结构的实际应用提供了理论参考。仿真结果表明N-polar AlGaN背势垒的Al组分较其厚度对2DEG的影响更为明显,而将N-polar AlGaN背势垒的Al组分渐变后,可以降低寄生沟道对主沟道2DEG的影响,AlN插入层的引入也可进一步提高2DEG面密度、迁移率及其限阈性。
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页码：394 / 399
页数：6
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