INTERSTITIALCY MODEL OF SELF-DIFFUSION AND IMPURITY-DIFFUSION IN SILICON

被引:0
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作者
GOSELE, U [1 ]
机构
[1] MAX PLANCK INST MET FORSCH,D-7000 STUTTGART 80,FED REP GER
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
摘要
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页码:C91 / C92
页数:2
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