EMISSIVITY AT 0.65 MICRON OF SILICON AND GERMANIUM AT HIGH TEMPERATURES

被引：159
作者：
ALLEN, FG
机构：
来源：
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1957年 / 28卷 / 12期
关键词：
D O I：
10.1063/1.1722688
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：1510 / 1511
页数：2
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